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www.rohm.com
?2012
ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
SiC Schottky Barrier Diode
SCS120KE2
.
?Applications
?Dimensions (Unit : mm)
?Structure
General rectification
?Features
1)Shorter recovery time
2)Reduced temperature dependence
3)High-speed switching possible
?Construction
Silicon carbide epitaxial planer type
?Absolute maximum ratings (Tj=25°C)
Symbol UnitLimits
VRM
V
VR
V
IF
A
A
A
IFRM
A
PD
W
Tj °C175
Tstg °C?55 to ?175
Junction to case *6
Rth(j-c)
°C / W
(*3)PW=10?s square,Tj=25°C (*4)Tc=120°C,Tj=150°C,Duty cycle=10% (*5)Tc=25°C (*6)Per Leg / Per Device
?Electrical characteristics
(Tj=25°C) [Per Leg]
Symbol Min. Typ. Max. Unit
VDC
1200 - - V
IR=0.2mA
- 1.50 1.70 V
IF=10A,Tj=25°C
-2.00- VIF=10A,Tj=175°C
- 10 200
μA
VR=1200V,Tj=25°C
- 120 -
μA
VR=1200V,Tj=175°C
- 650 - pF
VR=1V,f=1MHz
-50- pFVR=800V,f=1MHz
Qc - 34 - nC
VR=800V,di/dt=500A/μs
tc - 16 - ns
VR=800V,di/dt=500A/μs
Switching time
Conditions
Total capacitance C
Total capacitive charge
Parameter
DC blocking voltage
Forward voltage
VF
Range of storage temperature
Total power disspation *6
1.3 / 0.70
(*1)Tc=135°C / 132°C (*2)PW=8.3ms sinusoidal,Tj=25°C
Reverse current
IR
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
1200
115 / 210*5
Junction temperature
Reverse voltage (DC)
1200
10/ 20 *1
Repetitive peak forward current *6
30 / 58*4
45 / 90 *2
190 / 380*3
Surge no repetitive forward current *6
IFSM
Continuous forward forward current *6
ROHM : ＴO-247
(1) (2) (3)
(1) Anode
(2) Cathode
(3) Anode
Case
Case
15.90
5.03
1.98
3.00
2.40
0.60
5.45
2.03
1.20
20.18
20.95
5.62
6.17
3.61
4.32
3.81
(Unit : mm)
1/3
2012.04 - Rev.A
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